IT之家 11 月 10 日消息，中微半导体设备（上海）股份有限公司（简称“中微公司”）近日发布其全新产品 ——Primo Matrix 双反应台等离子体晶圆切割设备，今日宣布首台设备已顺利付运国内重要集成电路封装客户。

随着先进封装技术成为延续摩尔定律的重要路径，晶圆切割作为封装工艺中的关键环节，直接影响芯片良率与生产效率。

针对先进封装对高精度、低损伤、窄切割道的迫切需求，中微公司在等离子晶圆切割设备领域取得重要突破，此次发布的新品 Primo Matrix 系列宣称是该公司在先进封装领域等离子体切割赛道的核心自主成果，并为该路线国产化落地增添头部方案选择。

中微公司 Primo Matrix

中微公司 Primo Matrix 采用在量产已得到充分验证的 Primo TSV 的等离子体深硅刻蚀技术，集成双反应台刻蚀腔室及晶圆传输模块，兼具高产能、高精度、低成本和灵活的工艺适配能力。

此设备兼容带框架 200mm、300mm 晶圆高效率切割需求，在切割精度方面，此设备可适用于最小到 5μm 的不同切割道宽度工艺，减少晶圆面积损耗，提升有效芯片产出，满足芯片微型化趋势下的高精度晶圆切割需求。

在工艺兼容性方面，此设备支持 25–700μm 晶圆厚度范围，覆盖超薄晶圆与常规厚度晶圆的切割需求，适用于晶圆减薄后切割及多种先进封装工艺。

同时，设备以 300mm 晶圆为主要加工平台，向下兼容 200mm 晶圆切割工艺，提升了在不同尺寸晶圆生产线中的应用灵活性。

Primo Matrix 依托中微公司 Primo 平台打造，系统最多可搭载 6 个刻蚀反应台，适配长工艺时间需求。

此外，Primo Matrix 支持带凸点晶圆正面等离子体切割、激光开槽后等离子体切割及晶圆背面刻蚀等典型工艺，满足不同晶圆结构、工艺流程及封装应用需求。

此设备同时具备介质层等硬掩膜开口刻蚀能力，可适配具有介质层及复杂表面结构的晶圆加工需求，进一步拓展了其工艺应用范围。

目前，中微公司刻蚀设备全面覆盖从 65 纳米到 3 纳米及更先进工艺的刻蚀应用，全面覆盖存储器中各类超高深宽比刻蚀应用。介质刻蚀达到 60 比 1、90 比 1 的极高深宽比，硅刻蚀达到 140 比 1 的极高深宽比，已经达到国际一流水平。该公司行业首创的双反应台（Dual-Station）ICP 刻蚀技术，已经达到 0.2 纳米的单原子水平，相当于一根头发丝直径的 30 万分之一。

中微公司表示，未来五年计划通过“有机生长和外延扩展”，持续拓宽产品矩阵，覆盖包括刻蚀、薄膜、湿法和量检测设备等约 60% 以上的高端半导体设备市场，以及 70% 以上的先进封装设备市场。