快科技10月8日消息，据报道，三星电子今日发布2026年第三季度初步业绩指引。数据显示，三星当季营业利润达107.4万亿韩元（约合人民币5360亿元），较上年同期的12.17万亿韩元飙升782.5%，超越LSEG综合预估的106.1万亿韩元。

这是三星电子单季营业利润历史上首次突破100万亿韩元大关，同时也是连续第四个季度实现创纪录的营业利润，使其成为首家季度营业利润突破100万亿韩元的韩国公司。

此番业绩的核心驱动力集中于内存芯片业务。传统DRAM及NAND芯片供应偏紧、高带宽内存（HBM）需求强劲，共同推高存储芯片价格，令芯片部门盈利大幅扩张。

据Douglas Research Advisory分析师Douglas Kim估计，三星第三季度HBM出货量环比增长近50%。

而HBM4已成为三星业绩增长的关键引擎。三星于2026年2月开始量产HBM4，采用1c DRAM与4纳米逻辑基底芯片组合。

三星预计，第三季度HBM4营收将较上一季度增长三倍以上，并在下半年占HBM总营收的60%以上。

与营收增长相伴的，是HBM4价格的加速上涨。据花旗研报预计，HBM4 12hi的每GB均价将从2026年约2美元攀升至2027年的4至5美元区间，同比涨幅达100%至150%。

然而，存储芯片价格上涨也推高了三星自家智能手机和电子设备的生产成本，进一步挤压了这些业务部门的利润率。三星将于10月29日发布第三季度最终财报，届时将披露各业务部门的详细业绩数据。

市场对存储芯片后市仍持乐观态度。据TrendForce预测，第四季度通用DRAM价格将环比上涨10%至15%，NAND上涨15%至20%。

Counterpoint Research已将第三季度DRAM价格季增幅预测从此前的5%至10%上调至10%至20%，理由是客户正在提前下单，供应商定价权明显增强。

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